Проект преподавателя ДГУ сделает доступными исследования в области АСО для российских ученых

Проект направлен на разработку прототипа бюджетной установки атомно-слоевого осаждения тонкопленочных структур с возможностью мониторинга изменения массы и толщины в процессе роста пленок.

«В последнее десятилетие значительным образом усилилось внедрение технологии атомно-слоевого осаждения в микроэлектронику, в связи с чем наблюдается интенсификация научных исследований в области АСО во всех развитых странах. Научные исследования направлены на разработки полупроводниковых, диэлектрических и барьерных тонкопленочных структур толщиной меньше 100 нм, поскольку потребности в современной электронной промышленности требуют массового производства тонких и конформных пленок с прецизионным контролем толщины», – отметил преподаватель.

По его словам, осуществление научной и производственной деятельности в области АСО требует создания соответствующей инфраструктуры для тонкопленочного осаждения.

«Создание и развитие подобного класса вакуумного оборудования для проведения научных работ и налаживания производственных цепочек в тонкой электронике имеют стратегическое значение для нашей страны», – говорит исследователь.

В рамках проекта планируются проектирование и сборка прототипа установки базового типа для термического атомно-слоевого осаждения, которая осуществит осаждение на нанометровом уровне с контролем толщины и прироста массы.

Кроме того, меньшая стоимость предлагаемой установки АСО по сравнению с импортными аналогами за счет использования отечественных электронных и вакуумных узлов, а также программное обеспечение собственной разработки позволят сделать доступными исследования в области АСО для российских ученых.